بررسی خواص الکتریکی برخی از نیمه هویسلرهای توپولوژیک

نارسانای توپولوژیک فاز جدیدی از ماده است که برخلاف سایر فازهای شناخته شده تا این زمان، بر مبنای نظم توپولوژیک ناشی از اثر کوانتمی هال معرفی می شود. خاصیت اصلی این نارسانا که آنرا از نارسانای معمولی متمایز می کند، رسانش الکتریکی روی سطح ماده است. مشاهدات تجربی این حالات الکترونی سطحی اثباتی برای وجود این حالت از ماده می باشد. در این تحقیق پس از تعریف و بررسی خواص اصلی این فاز جدید از ماده، خواص الکتریکی چهار نیمه هویسلر laptbi، luptbi، yptbi و ypdbi و سه آلیاژ ?la?_(3/4) y_(1/4) ptbi، ?la?_(1/2) y_(1/2) ptbi و ?la?_(1/4) y_(3/4) ptbi، به واسطه نمودارهای چگالی حالات و ساختار نواری آن ها با استفاده از پتانسیل های lsda و mbjlda، و بر پایه نظریه تابعی چگالی بررسی شده است. به طور نمونه می توان به نتایج بدست آمده برای نیمه هویسلرهای laptbi و yptbi اشاره کرد؛ چگالی حالات صفر روی تراز فرمی و وارونگی نوار حاصل از رسم ساختار نواری این نیمه هویسلرها با استفاده از دو پتانسیل ذکر شده، نشان دهنده فاز نارسانای توپولوژیک است. نتایج بدست آمده برای دیگر ساختارهای نام برده شده، در متن تحقیق آورده شده و مورد بحث قرار گرفته اند.